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三星宣布量产1TB eUFS闪存 基于第五代V-NAND技术打造

近年来,随着智能手机的迅猛发展,消费者对于存储容量的需求也变得越来越高。好消息是,今日,三星在其官网上宣布了业界首款容量高达 1TB 的“嵌入式通用闪存存储器”(eUFS)。其基于第五代 V-NAND 技术打造,容量是 64GB 版本的 20 倍,速度是典型 microSD 存储卡的 10 倍,特别适合数据密集型应用。

作为全球技术领先的存储器制造商,三星电子将从即日起量产业界首款 1TB 嵌入式通用闪存(eUFS 2.1),能够为下一代移动应用带来更优秀的使用体验。

三星在四年前推出了业界首个 128GB 的 eUFS 解决方案,但现在已经将智能手机领域的存储标杆推向了 TB 级别,速度与容量媲美高级笔记本电脑。

三星电子内存营销执行副总裁 Cheol Choi 表示:“预计 1TB eUFS 将在推动下一代移动设备的发展上起到关键的作用”。

更重要的是,三星致力于保障供应链和产能的稳定可靠,及时支持推出即将推出的新款期间智能机,以加速全球移动市场的增长。

在相同的封装尺寸(11.5×13.0 m㎡)内,1TB eUFS 较先前的 512GB 版本容量提升了一倍、堆叠了 16 层三星最先进的512Gb V-NAND 闪存和新开发的专属控制器。

有了 1TB 的容量,智能手机现在录制 260 段时长 10 分钟的 4K UHD(3840×2160)视频。相比之下,64GB eUFS 机型只能够存储大约 13 段同类视频。

1TB eUFS 还具有出色的速度,允许用户在极短的时间内传输大量多媒体内容 —— 高达 1000 MB/s。

作为对比,传统 2.5 英寸 SATA 固态硬盘(SSD)的连续读取速度,只有 1TB eUFS 的一半左右。

这意味着,我们可以在 5 秒的时间内,将 5GB 大小的全高清视频从 NVMe SSD 中拷出 —— 这是典型的 microSD 存储卡的 10 倍速度。

此外,1TB eUFS 的随机读取速度,也较 512GB 版本的提高了 38%(最高可达 58k IOPS)。随机写入比高性能 microSD 卡(100 IOPS)快 500倍,最高可达 50k IOPS 。

三星计划于 2019 上半年,在韩国 Pyeongtaek 工厂扩大第五代 512Gb V-NAND 的产量,以满足全球移动设备制造商对 1TB eUFS 的强劲需求。

[来自:Samsung]